ITO靶材是一種N型半導(dǎo)體材料，具有高的導(dǎo)電率，優(yōu)異的可見(jiàn)光透過(guò)率，由氧化銦和氧化錫粉末按照一定比例混合后，經(jīng)過(guò)一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫?zé)Y(jié)形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體材料。ITO靶材的燒結(jié)技術(shù)主要由以下幾種：常壓燒結(jié)法、熱壓法、熱等靜壓法（HIP）、微波燒結(jié)法、放電等離子燒結(jié)法等。
ITO旋轉(zhuǎn)靶采用常壓燒結(jié)工藝，綁定在背管上制得，尺寸及比例根據(jù)客戶要求定制。
ITO平面靶根據(jù)尺寸大小，一般采用常壓燒結(jié)和熱等靜壓工藝，綁定在背板上制得，尺寸及比例根據(jù)客戶要求定制。


純度：99.99%；電阻率（20°C）：≤ 1.8Ω.cm；失氧率：≤0.5%；
常用比例：In2O3:SnO2=90:10（wt%）、In2O3:SnO2=95:5（wt%）、In2O3:SnO2=97:3（wt%）。
應(yīng)用領(lǐng)域：平板顯示器、太陽(yáng)能電池、集成電路、磁記錄和光記錄。


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